信息摘要：
低成本、高可靠性、高產能及優越的蝕刻選擇比。但相對於幹式蝕刻，除了無法定義較細的線寬外
1、化學蝕刻（kè）的優點
低成本、高可（kě）靠（kào）性、高產能及優越的蝕刻（kè）選擇比。但相對於幹式蝕刻，除（chú）了無法定義較細的（de）線寬（kuān）外（wài），化學蝕刻仍有以下的（de）缺點：
(1) 需花（huā）費較高成本的反應溶液及去離子水；
(2) 化學藥品處理時人員所遭遇的問題（tí）；
(3) 光阻附著性問題（tí）；
(4) 氣（qì）泡形成及化學蝕刻液無法與晶圓表麵接觸所造（zào）成的不均勻的蝕刻；
(5) 廢氣及潛在的爆炸性。
濕（shī）式蝕刻過程可分為三個步（bù）驟：
(1) 化學蝕刻液擴散待蝕刻材料之表麵；
(2) 蝕刻液與待蝕刻材料（liào）發生（shēng）化學反應；
(3) 反應後之產物從蝕刻材料之表麵擴散到溶（róng）液中，並隨溶液排出(3)。
三個步驟中（zhōng）進行慢者為（wéi）速率控（kòng）製步驟，也就是說該步驟的反應（yīng）速率即為整個反應之速率。
大部份的蝕刻過程包含了一個（gè）或（huò）多個化學反應步驟，各種形態的反應（yīng）都有可能發生，但常遇到的反應是將待蝕刻層表麵（miàn）先（xiān）予以氧化，再將此氧化層溶解，並隨溶液排出，如此反複（fù）進行（háng）以達到蝕刻（kè）的效果（guǒ）。如蝕刻矽、鋁時即是利用此種（zhǒng）化學反應方式。
2、化學蝕（shí）刻的速率
通（tōng）常可藉由改變溶液濃度及溫度予以控製。溶液濃度可改變（biàn）反應物質到達及離開待蝕刻物表麵的速率，一般而言，當溶液濃度增加時，蝕刻速率將會提高。而提高溶（róng）液溫度可加（jiā）速化學反應速率，進而加速蝕刻（kè）速率。
除了溶液的選（xuǎn）用外，選擇適用的屏蔽物質亦是十分重要的，它與待蝕刻材料表麵有（yǒu）很好的附著（zhe）性、並能承受蝕刻溶液的侵蝕且穩定而不變質。而光阻（zǔ）通（tōng）常是一個（gè）很好的屏蔽（bì）材料（liào），且由（yóu）於其（qí）圖案轉（zhuǎn）印步驟簡單，因此常被使用。但使用光阻作為屏蔽材（cái）料時也會發生邊緣剝離或龜裂的（de）情形。邊緣剝離乃由於蝕刻溶液的侵（qīn）蝕（shí），造成光阻與基材間的（de）黏著性變差所致。解決的方法則（zé）可使用黏（nián）著來（lái）增加光阻與基材間的黏著性，如（rú）Hexamethyl-disilazane (HMDS)。龜裂則是因為光阻與基材間的應力（lì）差異太大，減緩龜（guī）裂的方法可利用較具彈性的屏蔽材（cái）質來吸收兩者間的（de）應力差。
蝕刻化學反應過程中所產生（shēng）的氣泡常會造成蝕（shí）刻（kè）的不（bú）均勻性，氣泡留滯於基材上阻止了（le）蝕（shí）刻溶液與待蝕刻物表（biǎo）麵的（de）接觸，將使得蝕刻（kè）速率變慢或停（tíng）滯，直到氣（qì）泡離開基材表（biǎo）麵。因此在這種情況下（xià）會在溶液中加入一些催（cuī）化劑增進（jìn）蝕刻溶液與待蝕刻物表麵的接觸，並在蝕（shí）刻過程中（zhōng）予於攪動以加速氣泡的脫離.
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